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      掃描電鏡透射模式(STEM)的成像原理及應(yīng)用
    1. 發(fā)布日期:2018-01-15      瀏覽次數(shù):4001
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            掃描電子顯微鏡已成為表征物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)*的儀器。在掃描電鏡中,電子束與試樣的物質(zhì)發(fā)生相互作用,可產(chǎn)生二次電子、特征X射線、背散射電子等多種的信號(hào),通過采集二次電子、背散射電子得到有關(guān)物質(zhì)表面微觀形貌的信息,背散射電子衍射花樣得到晶體結(jié)構(gòu)信息,特征X-射線得到物質(zhì)化學(xué)成分的信息,這些得到的都是接近樣品表面的信息。在掃描電鏡上配置透射附件,應(yīng)用透射模式(Scanning transmission electron microscopy,STEM)可得到物質(zhì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息,使其既有掃描電鏡的功能,又具備透射電鏡的功能,與透射電鏡相比,由于其加速電壓低,所以可顯著減少電子束對(duì)樣品的損傷,而且可大大提高圖像的襯度,特別適合于有機(jī)高分子、生物等軟材料樣品的透射分析。

            1. 掃描透射像的形成原理

            在掃描電鏡中,電子束與薄樣品相互作用時(shí),會(huì)有一部分電子透過樣品,這一部分透射電子也可用來成像,其形成的像就是掃描透射像(STEM像)。如圖1所示,掃描電鏡的STEM圖像跟透射電鏡類似,也分為明場(chǎng)像(bright field,BF)和暗場(chǎng)像(dark field,DF),明場(chǎng)像的探測(cè)器安裝在掃描電鏡樣品的正下方,當(dāng)入射電子束穿過樣品后,散射角度較小的電子經(jīng)過光闌孔選擇后進(jìn)入明場(chǎng)探測(cè)器形成透射明場(chǎng)像,散射角比較大的電子經(jīng)DF-STEM電極板反射,由二次電子探頭接受形成暗場(chǎng)像。由于掃描電鏡中暗場(chǎng)像的信號(hào)較弱,在此我們主要討論明場(chǎng)像。

            2. 掃描電鏡中STEM像的特點(diǎn)及應(yīng)用

            2.1透射像的襯度

        透射電子像的形成主要是入射電子束與樣品發(fā)生相互作用,當(dāng)電子束穿過樣品逸出下表面時(shí),電子束的強(qiáng)度發(fā)生了變化,從而投影到熒光屏上的強(qiáng)度是不均勻的,這種強(qiáng)度不均勻就形成了透射像。通常以襯度(Contrast,C)來描述透射電子所成的像,襯度指樣品電子像上相鄰區(qū)域的電子束強(qiáng)度差,即圖像的對(duì)比度,可以下式表示:

            式中,I1為電子像中樣品某區(qū)域的電子束強(qiáng)度,I2為相鄰區(qū)域的電子束強(qiáng)度。通常,人眼不能分辨小于5%的襯度差別,甚至區(qū)分10%的襯度差別也有困難,但是用CCD相機(jī)等記錄下數(shù)字化的電子化圖像,再進(jìn)行處理可增大襯度使人眼能夠分辨。

            電子束被樣品散射后,根據(jù)樣品的性質(zhì)不同,電子束的振幅和相位會(huì)發(fā)生相應(yīng)的改變,形成振幅襯度像和相位襯度像,其中由于樣品的質(zhì)量(原子序數(shù)、密度等)或者厚度的差異造成的透射電子束強(qiáng)度的差異而形成的襯度稱為質(zhì)厚襯度,非晶材料的透射像襯度主要為質(zhì)厚襯度像,如圖2所示,入射電子透過樣品時(shí)碰到的原子數(shù)越多即樣品越厚,或者樣品原子核庫侖電場(chǎng)越強(qiáng)即原子序數(shù)或密度越大,被散射的大角度的電子越多,被擋在物鏡光闌之外越多,成像系統(tǒng)接受的電子數(shù)越少,那么襯度高,反之襯度越低。

            通過推導(dǎo)計(jì)算可得到質(zhì)厚襯度的公式:

            式中,C為質(zhì)厚襯度,NA為阿伏伽德羅常數(shù),e為電子電荷,V為透射電鏡的加速電壓,θ為散射角,Z2,Z1分別為產(chǎn)生襯度的樣品兩部分的原子序數(shù),ρ2,ρ1為兩部分的密度,t2,t1為兩部分的厚度,A2,A1是兩部分的相對(duì)原子質(zhì)量。由此可見,質(zhì)厚襯度與加速電壓、散射角、原子序數(shù)、密度和厚度都有關(guān)。生物、有機(jī)高分子類樣品主要由輕元素組成,原子序數(shù)相差小,對(duì)電子的散射幾率小,因此襯度低,通過降低加速電壓的方法可提高襯度。

            2.2掃描電鏡STEM模式的應(yīng)用

            透射電鏡的加速電壓較高(一般為120-200kV),對(duì)于有機(jī)高分子、生物等軟材料樣品的穿透能力強(qiáng),形成的透射像襯度低,而掃描電鏡的加速電壓較低(一般用10-30kV),因此應(yīng)用其STEM模式成透射像,可大大提高像的襯度。圖3所示為有機(jī)太陽能電池用的高分子/富勒烯薄膜(有機(jī)固體實(shí)驗(yàn)室樣品)的透射電子像,在用透射電鏡觀察其分相結(jié)構(gòu)時(shí),由于兩部分襯度都低,因此幾乎無法區(qū)分,而應(yīng)用掃描電鏡的STEM模式觀察時(shí),可清楚地觀察到兩相的結(jié)構(gòu)。

            應(yīng)用透射電鏡觀察生物樣品時(shí),由于樣品的襯度很低,須經(jīng)過鈾、鉛等重金 屬染色才能獲得其結(jié)構(gòu)信息,然而染色不僅麻煩而且可能會(huì)改變樣品的結(jié)構(gòu)。在 應(yīng)用掃描電鏡的STEM模式觀察生物樣品時(shí),樣品無需染色直接觀察即可獲得較 高襯度的圖像,圖4為應(yīng)用STEM模式觀察得到的未染色的生物品的電鏡圖,可以看到其納米尺度的片層結(jié)構(gòu)。

            除了可顯著提高透射像的襯度外,應(yīng)用掃描電鏡STEM成像還有一個(gè)優(yōu)勢(shì)是可對(duì)樣品同時(shí)成掃描二次電子像和透射像,既可以得到同一位置的表面形貌信息又可以得到內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息,避免了在掃描電鏡和透射電鏡之間轉(zhuǎn)換樣品、定位樣品的麻煩。圖5所示為應(yīng)用掃描電鏡觀察有機(jī)螺旋納米線(光化學(xué)實(shí)驗(yàn)室樣品)得到的二次電子像和透射像(STEM明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像),從二次電子像可以清楚地觀察到納米線的螺旋結(jié)構(gòu),從透射像可以看出納米線是實(shí)心結(jié)構(gòu)非空心管結(jié)構(gòu)。

            總之,隨著科學(xué)研究的深入對(duì)于物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析的要求越來越高,掃描電鏡STEM透射模式由于其襯度高、損傷小等特點(diǎn),非常適合于有機(jī)高分子、生物等軟材料的結(jié)構(gòu)分析,將在此類材料的分析表征中發(fā)揮不可替代的作用。

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